SiO2 films on 4H-SiC : reducing interface electrical degradation due to thermal oxidation
dc.contributor.author | Pitthan Filho, Eduardo | pt_BR |
dc.contributor.author | Corrêa, Silma Alberton | pt_BR |
dc.contributor.author | Palmieri, Rodrigo | pt_BR |
dc.contributor.author | Soares, Gabriel Vieira | pt_BR |
dc.contributor.author | Boudinov, Henri Ivanov | pt_BR |
dc.contributor.author | Stedile, Fernanda Chiarello | pt_BR |
dc.date.accessioned | 2013-12-12T01:50:21Z | pt_BR |
dc.date.issued | 2013 | pt_BR |
dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/10183/83616 | pt_BR |
dc.format.mimetype | application/pdf | |
dc.language.iso | eng | pt_BR |
dc.relation.ispartof | Brazilian-German Workshop on Applied Surface Science (8. : 2013 Sept. 15-20 : Bamberg, Alemanha). Book of Abstracts. [S.l. : s.n., 2013] | pt_BR |
dc.rights | Open Access | en |
dc.subject | Carboneto de silício | pt_BR |
dc.subject | Oxidação térmica | pt_BR |
dc.title | SiO2 films on 4H-SiC : reducing interface electrical degradation due to thermal oxidation | pt_BR |
dc.type | Resumo publicado em evento | pt_BR |
dc.identifier.nrb | 000902871 | pt_BR |
dc.type.origin | Estrangeiro | pt_BR |
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