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Fabricação e caracterização de um sensor múltiplo sensível à posição
(2011) [Dissertation]Este trabalho aborda o design, a fabricação e a caracterização de um sensor óptico de posição, o múltiplo PSD (Position Sensitive Detector). O sensor é composto de 64 PSDs unidimensionais em paralelo. O PSD é um sensor do ... -
Fabrication of ion sensitive field effect transistors
(2018) [Dissertation]Transistores de Efeito de Campo Sensíveis a Íons (ISFETs) revolucionaram a tecnologia de sensores químicos e de pH por serem pequenos e compatíveis com tecnologias de microfabricação em grande escala. Nós desenvolvemos uma ... -
Ferramentas para simulação de falhas transientes
(2011) [Dissertation]Atualmente, a simulação de falhas é um estágio importante em qualquer desenvolvimento de Circuitos Integrados. A predição de falhas comportamentais em qualquer estagio do processo é essencial para garantir que o chip ... -
Filmes de SiO2 depositados e crescidos termicamente sobre SiC : caracterização físico-química e elétrica
(2013) [Dissertation]O carbeto de silício (SiC) é um semicondutor com propriedades adequadas para substituir o silício em dispositivos eletrônicos em aplicações que exijam alta potência, alta freqüência e/ou temperatura. Além disso, um filme ... -
Finding placement-relevant clustersWith fast modularity-based clustering
(2020) [Thesis]In advanced technology nodes, IC implementation faces an increasing design complexity as well as ever-more demanding design schedule requirements. This raises the need for new decomposition approaches that can help reduce ... -
Formação de nanopartículas de Sn e PbSe via implantação iônica em Si(100)
(2009) [Thesis]O silício (Si) é o material mais utilizado na fabricação de dispositivos microeletrônicos e fotovoltaicos devido às suas excelentes propriedades físicas e ao alto grau de desenvolvimento das tecnologias de produção alcançadas ... -
Foto e eletroluminescência de filmes de nitreto de silício não estequiométrico depositados por sputterin reativo
(2016) [Thesis]Filmes finos de nitreto de silício com excesso de nitrogênio foram depositados sobre silício por sputtering reativo para obter estruturas emissoras de luz. As amostras foram modificadas por implantação iônica para verificar ... -
Fotoluminescência de nitreto de silício não estequiométrico depositado por sputtering reativo
(2012) [Dissertation]Nanoestruturas de silício incorporadas em matrizes dielétricas são promissoras para aplicação em dispositivos optoeletrônicos. Neste trabalho, estudamos a influência dos diferentes parâmetros de deposição para filmes de ... -
Frame-level redundancy scrubbing technique for SRAM-based FPGAs
(2015) [Thesis]Reliability is an important design constraint for critical applications at ground-level and aerospace. SRAM-based FPGAs are attractive for critical applications due to their high performance and flexibility. However, they ... -
Funtional composition and applications
(2012) [Dissertation]This work presents functional composition (FC) as a new paradigm for combinational logic synthesis. FC is a bottom-up approach to synthesize Boolean functions, being able to evaluate the cost of intermediate sub-functions, ... -
Graph-based algorithms for transistor count minimization in VLSI circuit EDA tools
(2014) [Dissertation]This master’s thesis introduces a set of graph-based algorithms for obtaining reduced transistor count VLSI circuits using simple cells. These algorithms are mainly focused on minimizing node count in AIG representations ... -
High efficiency MPPT switched capacitor DC-DC converter for photovoltaic energy harvesting aiming for IoT applications
(2017) [Dissertation]Este trabalho apresenta um conversor CC - CC baseado em Capacitores Chaveados de 6 fases e tempos intercalados com o objetivo de coletar energia fotovoltaica projetado em tecnologia CMOS de 130 nm para ser usado em aplicações ... -
High-Throughput Dedicated Hardware Design Targeting the 3D-HEVC-Prediction Coding Tools
(2019) [Thesis]The popularization of multimedia services has pushed forward the development of 2D/3D (Two and Three Dimensional) video-capable embedded mobile devices. In this scenario, 3D-video systems based on the simultaneous exhibition ... -
Impacto da variabilidade PVT em somadores construídos com XORs
(2020) [Dissertation]A operação de soma é a mais usada em Unidades Lógicas e Aritméticas (ULA). A ULA é a unidade mais importante no processamento de dados. Em sistemas digitais, é desejado um somador completo com baixo consumo de energia e ... -
Impacto dos desvios de tensão de limiar induzidos por radiação ionizante no desempenho dos blocos básicos de dois amplificadores operacionais complementares
(2012) [Dissertation]Este trabalho estuda os efeitos de dose total ionizante (TID – Total Ionizing Dose) em amplificadores operacionais e em seus blocos básicos de construção. A radiação ionizante presente no espaço pode afetar o funcionamento ... -
Improving efficiency of general Purpose computer systems by adopting processing-in-memory architecture
(2020) [Thesis]For decades the inherent limitations of traditional Von Neumann-based computer systems have been overshadowed by the fine-grain architectural advancements and the everincreasing technological evolution. However, in the ... -
Inductorless balun low-noise amplifier (LNA) for RF wideband application to IEEE 802.22
(2014) [Dissertation]A new 50 MHz - 1 GHz low-noise amplifier circuit with high linearity for IEEE 802.22 wireless regional area network (WRAN) is presented. It was implemented without any inductor and offers a differential output for balun ... -
Investigação da interface entre filmes dielétricos crescidos termicamente e o carbeto de silício monocristalino com potencial uso em microeletrônica
(2012) [Dissertation]Na presente Dissertação, foram caracterizadas as estruturas dos filmes dielétricos (dióxido de silício) crescidos termicamente sobre carbeto de silício monocristalino (c-SiC) e as interfaces formadas. Através de análises ... -
Investigação de defeitos e de métodos passivadores da região interfacial SiO2/SiC
(2017) [Thesis]O carbeto de silício (SiC) é um semicondutor com propriedades adequadas para substituir o silício em dispositivos eletrônicos em aplicações que exijam alta potência, alta frequência e/ou alta temperatura. Além disso, é ... -
Investigação dos processos de crescimento térmico de dióxido de silício sobre carbeto de silício
(2018) [Dissertation]Este trabalho investiga a cinética de oxidação do carbeto de silício (SiC) monocristalino, assim como as propriedades físico-químicas da interface e do filme fino de óxido (SiO2) formado. Serão discutidos filmes finos ...