Navegação Engenharia Elétrica por Assunto "TID"
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Análise dos efeitos de dose total ionizante em transistores CMOS tecnologia 0,35 μm
(2013) [Dissertação]Este trabalho apresenta um estudo sobre a degradação de parâmetros elétricos de transistores CMOS tecnologia 0,35 μm, fabricados com o processo AMS C35B4, devido aos efeitos de dose total ionizante. Os efeitos de dose total ... -
Projeto de um amplificador operacional cmos de dois estágios e simulação elétrica do efeito de dose total
(2010) [Dissertação]Este trabalho tem o objetivo de, inicialmente, fazer uma análise das fontes de radiação relevantes para aplicações de circuitos integrados em ambientes aeroespaciais. Em seguida se discute o efeito da radiação ionizante ...