Navegação Física por Autor "Fichtner, Paulo Fernando Papaleo"
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Alcances de ions energéticos (10 a 390 keV) implantados em silício amorfo
Fichtner, Paulo Fernando Papaleo (1987) [Tese]Neste trabalho apresentamos medidas de perfil de distribuição de ions para uma série de elementos (29‘Zi;:.03) implantados a diversas energias entre 10 a 390 keV em Silicio amorfo. Estas medidas são comparadas com os novos ... -
Caracterização do arranjo estrutural de sistemas enterrados de nanopartículas pela técnica de MEIS
Sanchez, Dario Ferreira (2013) [Tese]Arranjos planares de nanoparticulas (NPs). enterrados em matriz sólida tern atraído grande interesse tanto nas ares de nanociência quantd nas de nanotecnologia, devido às suas propriedades físicas, tais como plasmOnicas e ... -
Difusão de Au e Hf em (alfa)-Ti
Santos, Jose Henrique Rodrigues dos (1993) [Dissertação]Neste trabalho estuda-se a difusão de Au e Hf em a-Ti. O Hf, a princípio, deve ter um comportamento substitucional, enquanto o Au não preenche de forma absoluta as regras semi-empíricas que prevêem dissolução/difusão ... -
Efeitos da implantação de Ar e da irradiação de íons de Au e Xe sobre a microestrutura do aço AISI 316L para aplicações nucleares
Oyarzabal, Ítalo Martins (2021) [Tese]Materiais expostos à irradiação de nêutrons geralmente apresentam degradação em suas propriedades físicas. Este é um problema importante para a tecnologia de reatores nucleares, pois influencia na segurança operacional e ... -
Efeitos da irradiação iônica em filmes de InSb
Salazar, Josiane Bueno (2017) [Tese]Neste trabalho são apresentados os efeitos da irradiação iônica em lmes de InSb crescidos por epitaxia de feixe molecular e desbastamento iônico. As irradiações foram realizadas a temperatura ambiente, em incidência normal, ... -
Estabilidade de nanopartículas em sílica : efeitos térmicos e de irradiação com elétrons e íons energéticos
Luce, Flavia Piegas (2012) [Tese]Por apresentarem uma alta razão de área de interface por volume, sistemas de nanopartículas são termodinamicamente instáveis e podem perder suas vantagens funcionais em função de modificações estruturais induzidas por ... -
Formação de ilhas metálicas de Sn e Pb em interfaces SiO2/Si e SiO2/Si3N4 via implantação iônica e tratamento térmico
Kremer, Felipe (2010) [Tese]Neste trabalho estudou-se a estruturação de partículas de Sn ou Pb em interfaces SiO2/Si e SiO2/Si3N4 pela técnica de implantação iônica seguida de tratamento térmico em alta temperatura. A formação de partículas de Sn em ... -
Formação e estabilidade térmica de nanocavidades produzidas pela implantação de He em Si
Silva, Douglas Langie da (2004) [Tese]Nesta tese são apresentados os resultados de um estudo sistemático à respeito da formação e evolução térmica de nanocavidades de He em Si cristalino. O efeito da formação de nanocavidades de He no aprisionamento de impurezas ... -
Influência de bolhas de hélio e da microestrutura sobre a evolução térmica de filmes de alumínio implantados com cobre
Camacho, Cristiano Sabóia (2002) [Dissertação]Este trabalho apresenta os resultados de um estudo sistemático sobre as influências do tamanho de grão de filmes finos de Al e da implantação de íons de He sobre a evolução térmica de distribuições de átomos de Cu e formação ... -
Ion implantation and ion irradiation effects on nuclear and thermoelectric materials
Timm, Mariana de Mello (2019) [Tese]In this thesis the study of ion implantation and ion irradiation effects on microstructure and physical properties of nuclear and thermoelectric materials will be presented. Materials that are constantly exposed to radiation ... -
Nanoestruturas luminescentes de Ge e Sn em camadas de SiO/sub 2/ implantadas com íons
Lopes, João Marcelo Jordão (2005) [Tese]Neste trabalho estudam-se as propriedades de nanoestruturas de Ge e Sn formadas em amostras de SiO2/Si(100) através dos processos de implantação iônica e tratamento térmico. A formação de nanocristais de Ge foi investigada ... -
Nucleação e crescimento de grãos em filmes de Al nanoestruturados
Luce, Flavia Piegas (2008) [Dissertação]A eletromigração é um dos principais problemas que limitam a vida útil dos dispositivos microeletrônicos. Normalmente o que se utiliza na indústria são interconexões feitas de filmes finos de Al e/ou Cu com estrutura ... -
Relaxação estrutural de camadas pseudomórficas de SiGe/Si(100) induzida pela implantação iônica de He ou Si e tratamento térmico
Mörschbächer, Marcio José (2005) [Tese]O Si tensionado (sSi) é um material com propriedades de transporte eletrônico bastante superiores as do Si, sendo considerado como uma alternativa importante para a produção de dispositivos MOSFET (transistor de efeito de ... -
Uso da técnica de cartografia-MEIS para a determinação da deformação no parâmetro de rede em filmes finos
Ávila, Tiago Silva de (2016) [Tese]A caracterização do strain (deformação) em estruturas cristalinas em filmes finos semicondutores apresenta importantes aplicações tecnológicas, como por exemplo: a formação de defeitos, modificação da estrutura das bandas ...