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dc.contributor.advisorZawislak, Fernando Claudiopt_BR
dc.contributor.authorCamacho, Cristiano Sabóiapt_BR
dc.date.accessioned2007-06-06T17:16:20Zpt_BR
dc.date.issued2002pt_BR
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/10183/1625pt_BR
dc.description.abstractEste trabalho apresenta os resultados de um estudo sistemático sobre as influências do tamanho de grão de filmes finos de Al e da implantação de íons de He sobre a evolução térmica de distribuições de átomos de Cu e formação de precipitados de Al-Cu. Filmes finos de Al depositados sobre substrato de SiO2/Si através de dois processos diferentes foram implantados com íons de Cu+ e He+ produzindo uma solução sólida supersaturada de Al-Cu (≈ 2,5 a 3,5 at. %) e nano-bolhas de He. Os valores de energia dos íons foram escolhidos de tal forma a produzirem uma camada rica em Cu e He na região a aproximadamente 100nm da superfície. Tais filmes foram tratados termicamente em alto-vácuo nas temperaturas de 200ºC e 280ºC por tempos de 0,5h e 2h. Os filmes foram analisados por Retroespalhamento Rutherford, para determinação do perfil de concentração dos átomos de Cu, e por Microscopia Eletrônica de Transmissão, para determinação da microestrutura do Al e dos sistemas de nano-partículas Al-Cu e Al-He. Os resultados experimentais mostraram que a evolução térmica da distribuição dos átomos de Cu e a formação de precipitados de Al-Cu são significativamente afetadas pela configuração e tamanho de grão do filme de Al e pelas implantações de He. O presente estudo mostrou que existe uma forte correlação entre o fluxo de vacâncias e a estabilidade da microestrutura de filmes finos de Al (Al/SiO2/Si) implantados com íons de Cu+ e He+ e tratados termicamente. A possibilidade de controlar os fluxos de vacâncias através de configurações da microestrutura dos filmes de Al é, portanto, um tema de grande interesse tecnológico relacionado a durabilidade das interconexões metálicas de dispositivos microeletrônicos.pt_BR
dc.format.mimetypeapplication/pdf
dc.language.isoporpt_BR
dc.rightsOpen Accessen
dc.subjectTamanho de partículapt_BR
dc.subjectFilmes finospt_BR
dc.subjectÁtomospt_BR
dc.subjectAlumíniopt_BR
dc.subjectSolucoes solidaspt_BR
dc.subjectImplantacao de ionspt_BR
dc.subjectHéliopt_BR
dc.subjectRetroespalhamento rutherfordpt_BR
dc.subjectMicroscopia eletrônica de transmissãopt_BR
dc.subjectÍonspt_BR
dc.titleInfluência de bolhas de hélio e da microestrutura sobre a evolução térmica de filmes de alumínio implantados com cobrept_BR
dc.typeDissertaçãopt_BR
dc.contributor.advisor-coFichtner, Paulo Fernando Papaleopt_BR
dc.identifier.nrb000353906pt_BR
dc.degree.grantorUniversidade Federal do Rio Grande do Sulpt_BR
dc.degree.departmentInstituto de Físicapt_BR
dc.degree.programCurso de Pós-Graduação em Físicapt_BR
dc.degree.localPorto Alegre, BR-RSpt_BR
dc.degree.date2002pt_BR
dc.degree.levelmestradopt_BR


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