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Integrity of hafnium silicate/silicon dioxide ultrathin films on Si

dc.contributor.authorMorais, Jonderpt_BR
dc.contributor.authorMiotti, Leonardopt_BR
dc.contributor.authorSoares, Gabriel Vieirapt_BR
dc.contributor.authorTeixeira, Sergio Ribeiropt_BR
dc.contributor.authorPezzi, Rafael Perettipt_BR
dc.contributor.authorBastos, Karen Pazpt_BR
dc.contributor.authorBaumvol, Israel Jacob Rabinpt_BR
dc.contributor.authorRotondaro, Antonio L.P.pt_BR
dc.contributor.authorChambers, Jim J.pt_BR
dc.contributor.authorVisokay, Mark R.pt_BR
dc.contributor.authorColombo, Luigipt_BR
dc.date.accessioned2016-05-17T02:07:14Zpt_BR
dc.date.issued2002pt_BR
dc.identifier.issn0003-6951pt_BR
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/10183/141195pt_BR
dc.description.abstractRapid thermal annealing at 1000 °C of (HfO2)12x(SiO2)x pseudobinary alloy films deposited on Si were performed in N2 or O2 atmospheres. The effects on the atomic transport, structure, and composition were investigated using isotopic substitution of oxygen, high-resolution transmission electron microscopy, nuclear reaction analyses, narrow nuclear reaction resonance profiling, and grazing angle x-ray reflection.en
dc.format.mimetypeapplication/pdfpt_BR
dc.language.isoengpt_BR
dc.relation.ispartofApplied physics letters. Melville. Vol. 81, no. 16 (Oct.2002), p. 2995-2997pt_BR
dc.rightsOpen Accessen
dc.subjectSemicondutores elementarespt_BR
dc.subjectTratamento térmico rápidopt_BR
dc.subjectFronteira entre semicondutor isolantept_BR
dc.subjectMicroscopia eletrônica de transmissãopt_BR
dc.subjectSilíciopt_BR
dc.subjectCompostos de silíciopt_BR
dc.subjectFilmes finos isolantespt_BR
dc.subjectCompostos de háfniopt_BR
dc.subjectAnálise química nuclearpt_BR
dc.subjectDifração de raios Xpt_BR
dc.titleIntegrity of hafnium silicate/silicon dioxide ultrathin films on Sipt_BR
dc.typeArtigo de periódicopt_BR
dc.identifier.nrb000337201pt_BR
dc.type.originEstrangeiropt_BR


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Nome:
000337201.pdf
Tamanho:
673.3Kb
Formato:
PDF
Descrição:
Texto completo (inglês)
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