Navegação por Assunto "Materiais semicondutores"
Resultados 1-13 de 13
-
Aplicações da técnica de corrente induzida por feixe de elétrons (EBIC)
(2017) [Dissertação]A Medida de Corrente Induzida por Feixe de Elétrons (EBIC - do inglês Electron Beam-induced Current ) é uma técnica focada nas propriedades de transporte dos portadores de carga minoritários em materiais semicondutores, ... -
Caracterização estrutural de filmes de GaSb fabricados por sputtering e modificados por irradiação iônica
(2017) [Trabalho de conclusão de graduação]O antimoneto de gálio (GaSb) é um semicondutor da família III-V e seu estudo é de grande interesse tecnológico, podendo ser utilizado na fabricação de dispositivos optoeletrônicos e diodos emissores de luz. É conhecido que ... -
Comparação da dependência com a temperatura dos espectros de absorção de raios-X do Ge e do GaAs cristalinos
(2013) [Trabalho de conclusão de graduação]Neste estudo foi abordada a dependência do comprimento das ligações inter-atômicas com a temperatura para dois materiais com mesma estrutura cristalina (Germânio e Arseneto de Gálio), porém com diferenças de ionicidade de ... -
Controle das propriedades ópticas e elétricas do ITO por bombardeamento com íons
(2015) [Dissertação]Este trabalho apresenta as variações das propriedades ópticas e elétricas do ITO (Oxido de índio dopado com Estanho) por bombardeamento iônico. Os bombardeamentos foram realizados com íons Ar+ com perfil único e com perfil ... -
Efeitos da irradiação iônica em filmes de InSb
(2017) [Tese]Neste trabalho são apresentados os efeitos da irradiação iônica em lmes de InSb crescidos por epitaxia de feixe molecular e desbastamento iônico. As irradiações foram realizadas a temperatura ambiente, em incidência normal, ... -
Estudo das propriedades eletrônicas e estruturais de filmes de In(0.5-x)AlxSb0.5 depositados por magnetron sputtering e irradiados por feixes de íons
(2018) [Dissertação]Filmes de In(0.5-x)AlxSb0.5 foram depositados sobre substratos de SiO2/Si, a 420°C, por co-sputtering dos alvos de InSb, Al e Sb e as suas propriedades estruturais foram investigadas com o auxílio das técnicas de Grazing ... -
Fotoluminescência em semicondutores de gap indireto
(2012) [Trabalho de conclusão de graduação]Foram preparadas amostras de nanocristais de silício usando óxido de silício não-estequiométrico depositado por sputtering reativo. Nessas amostras o silício, semicondutor de gap indireto, tem a possibilidade de emissão ... -
High-pressure structural phase transitions in semiconducting niobium dioxide
(1999) [Artigo de periódico]Niobium dioxide was studied up to 47 GPa by angle-dispersive, x-ray powder diffraction. Semiconducting α − NbO 2 (space group I 4 1 / a , Z = 32 ) was found to transform to β − NbO 2 (space group I 4 1 , Z = 16 ) above 5 ... -
Indirect optical absorption and origin of the emission from β-FeSi2 nanoparticles : bound exciton (0.809 eV) and band to acceptor impurity (0.795 eV) transitions
(2010) [Artigo de periódico]We investigated the optical absorption of the fundamental band edge and the origin of the emission from β-FeSi2 nanoparticles synthesized by ion-beam-induced epitaxial crystallization of Fe+ implanted SiO2 / Si 100 followed ... -
Investigação das propriedades de adsorção de espumas nanométricas de InSb
(2019) [Trabalho de conclusão de graduação]Este trabalho tem por objetivo a investigação das propriedades de adsorção de espumas nanométricas de InSb, através da caracterização química de superfície e estrutural das espumas para futuramente serem expostas a diferentes ... -
Investigation of indirect structural and chemical parameters of GeSi nanoparticles in a silica matrix by combined synchrotron radiation techniques
(2012) [Artigo de periódico]The formation of GeSi nanoparticles on an SiO2 matrix is studied here by synchrotron-based techniques. The shape, average diameter and size dispersion were obtained from grazing-incidence small-angle X-ray scattering data. ... -
Medida de corrente induzida por feixe de elétrons em semicondutores
(2015) [Trabalho de conclusão de graduação]A presente monografia tem como objetivo principal realizar os procedimentos iniciais para a operacionalização do sistema de medição de corrente induzida por feixe de elétrons (EBIC - do inglês electron beam induced current), ... -
Nanoestruturas luminescentes ß-FeSi 2 produzidas pela técnica de implantação e irradiação iônica : caracterização estrutural e óptica
(2009) [Tese]Neste trabalho, apresentamos um estudo sistemático das propriedades estruturais e ópticas de nanopartículas FeSi2, sintetizadas em matriz SiO2/Si por implantação iônica, seguida de cristalização epitaxial induzida por feixe ...