Navegação por Assunto "Isolantes"

Resultados 1-2 de 2

    • Defeitos responsáveis pela isolação de GaAs irradiado com prótons 

      Coelho, Artur Vicente Pfeifer (2003) [Dissertação]
      A Espectroscopia de Transientes de Níveis Profundos (DLTS – Deep Level Transient Spectroscopy) foi, detalhadamente, descrita e analisada. O processo de isolação por implantação em GaAs foi estudado. Sua dependência com a ...

    • Electrical isolation of a silicon [Delta]-doped layer in GaAs by ion irradiation 

      Danilov, Iuri; Souza, Joel Pereira de; Boudinov, Henri Ivanov; Murel, A.V.; Shashkin, V.I. (1999) [Artigo de periódico]
      The electrical isolation of a n-type d -doped layer embedded into undoped GaAs was studied using proton or helium ion bombardment. The threshold dose for isolation Dth of the d -doped layer was found to be '2 times higher ...