SiO2 films on 4H-SiC : reducing interface electrical degradation due to thermal oxidation
Fecha
2013Autor
En
Brazilian-German Workshop on Applied Surface Science (8. : 2013 Sept. 15-20 : Bamberg, Alemanha). Book of Abstracts. [S.l. : s.n., 2013]
Origen
Estranjero
Colecciones
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