Navegação Microeletrônica por Autor "Kaufmann, Ivan Rodrigo"
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Diodos schottky de SiC para uso como detectores de energia de partículas carregadas
Kaufmann, Ivan Rodrigo (2017) [Tese]Neste trabalho foram investigadas estruturas de diodos Schottky de carbeto de silício (SiC) com potencial uso em detectores de energia de partículas carregadas. Para tanto, foram fabricados diodos Schottky de SiC do tipo ... -
Estabilização de filmes finos de óxido de germânio por incorporação de nitrogênio visando aplicações em nanoeletrônica
Kaufmann, Ivan Rodrigo (2013) [Dissertação]De maneira a melhorar o desempenho de um Transistor de Efeito de Campo Metal-Óxido-Semicondutor (MOSFET), o germânio (Ge) é um forte candidato para substituir o silício (Si) como semicondutor, devido a sua alta mobilidade ...