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dc.contributor.advisorReis, Ricardo Augusto da Luzpt_BR
dc.contributor.authorGuex, Jerson Paulopt_BR
dc.date.accessioned2013-10-02T01:48:25Zpt_BR
dc.date.issued2013pt_BR
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/10183/78529pt_BR
dc.description.abstractEste trabalho visa explorar técnicas de projeto de células que possibilitem a minimização dos efeitos da variabilidade de processo sobre o comportamento elétrico dos circuitos integrados. Para este trabalho foram abordados aspectos de regularidade, principalmente na camada de polisilício. A técnica de folding foi explorada em conjunto com a regularidade como possível metodologia de projeto voltada para a minimização dos efeitos da variabilidade de processo. Leiautes de portas lógicas complexas e básicas foram criadas utilizando tecnologia em 65nm. Os netlists dos leiautes extraídos foram simulados utilizando modelos que refletiam os efeitos da variabilidade sobre os parâmetros tecnológicos mais afetados pela variabilidade de processo. Os parâmetros selecionados para este experimento foram a largura (W) e comprimento (L) do canal do transistor, espessura do óxido de porta (Tox) e a mobilidade (μ0) das cargas. Os dados referentes ao pior caso envolvendo atraso e potência consumida de cada porta foram utilizados como métricas de comparação. Os resultados encontrados demonstram que a utilização da técnica de folding juntamente com aspectos de regularidade tornaram os experimentos menos sensíveis às variações do processos de manufatura de circuitos integrados. Essas reduções de sensibilidade chegaram em algumas situações à 33.22% para as portas básicas e de 28.96% para as portas complexas. A adição de folding e regularidade da camada de polisilício, trazem desvantagens significativas em área e potência consumida de cada porta. Pelos experimentos realizados é possível verificar aumento superior a 100% em área de algumas portas e de até 20.54% de aumento em potência. A união destas duas técnicas pode ser utilizada para tornar, por exemplo, o caminho crítico de um circuito integrado mais robusto quanto as variações de temporização e de potência.pt_BR
dc.description.abstractThis paper aims to explore for design techniques that allow the minimization of the effects of process variability on the electrical behavior of integrated circuits. To this work were discussed aspects of regularity, especially in poly-silicon layer. The technique of it folding was explored in conjunction with the regularity as possible design methodology aimed to minimizing the effects of process variability. Complex and basic layouts logic gates were built using 65nm technology. The it netlists extracted from layouts of the gates were simulated using models that reflected the effects of variability on the main technological parameters such as W, L, Tx, mu0 of the charges. The worst delay of each port and power consumption parameters were used for comparison in this work. The results show that using the it folding with regularity aspects of the experiments turns the layout gates less sensitive to process variations. These sensitivity reductions reached in some situations to 33.22 % for the basic gates and 28.96 % for the complex gates created. This techniques brings significant disadvantages in size and power consumption. For the experiments you can check increase of over 100% in area and up than 20,54% increase in power. These techniques should be used with discretion, especially on projects where there are area or consumption restrictions.en
dc.format.mimetypeapplication/pdf
dc.language.isoporpt_BR
dc.rightsOpen Accessen
dc.subjectMicroeletrônicapt_BR
dc.subjectCell layouten
dc.subjectProcess variabilityen
dc.subjectVlsipt_BR
dc.subjectDFMen
dc.subjectTransistorespt_BR
dc.subjectTransistor foldingen
dc.subjectMicroelectronicsen
dc.titleUtilizando folding no projeto de portas lógicas robustas à variabilidade de processopt_BR
dc.title.alternativeUsing folding to design logic gates robust to process variability en
dc.typeDissertaçãopt_BR
dc.identifier.nrb000900283pt_BR
dc.degree.grantorUniversidade Federal do Rio Grande do Sulpt_BR
dc.degree.departmentInstituto de Informáticapt_BR
dc.degree.programPrograma de Pós-Graduação em Microeletrônicapt_BR
dc.degree.localPorto Alegre, BR-RSpt_BR
dc.degree.date2013pt_BR
dc.degree.levelmestradopt_BR


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