Navegação Física por Autor "Dalponte, Mateus"

Resultados 1-2 de 2

    • Junções rasas em Si e SIMOX 

      Dalponte, Mateus (2004) [Dissertação]
      Foi estudado o comportamento do As (dopante tipo n) em dois tipos diferentes de substratos de Si: bulk e SIMOX (Separation by IMplanted OXygen). Ambos os substratos receberam uma implantação de 5x1014 cm-2 de As+ com energia ...

    • Redistribuição e ativação de dopantes em Si com excesso de vacâncias 

      Dalponte, Mateus (2008) [Tese]
      A redistribuição e ativação elétrica dos dopantes tipo n (As e Sb) e tipo p (Ga e In) em Si com excesso de vacâncias foram analisadas. As vacâncias foram geradas por implantação iônica de altas doses de oxigênio ou nitrogênio ...