• Defeitos responsáveis pela isolação de GaAs irradiado com prótons 

      Coelho, Artur Vicente Pfeifer (2003) [Dissertação]
      A Espectroscopia de Transientes de Níveis Profundos (DLTS – Deep Level Transient Spectroscopy) foi, detalhadamente, descrita e analisada. O processo de isolação por implantação em GaAs foi estudado. Sua dependência com a ...
    • Isolação elétrica por implantação iônica em GaAs e AlGaAs 

      Coelho, Artur Vicente Pfeifer (2008) [Tese]
      O processo de isolação elétrica por implantação de prótons é estudado para os casos do semicondutor GaAs e de estruturas DBR - Distributed Bragg Reflectors - de AlGaAs. A obtenção da energia crítica de implantação em camadas ...