Navegação Física por Autor "Behar, Moni"
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Determinação da posição reticular de F em Si
Bernardi, Fabiano (2006) [Dissertação]Neste trabalho, estudamos a posição de átomos de F na estrutura cristalina do Si. As amostras foram pré-amorfizadas utilizando um feixe de Si de 200 keV e, após, implantadas com F. Então recristalizamos a camada amorfa ... -
Difusão de Au e Hf em (alfa)-Ti
Santos, Jose Henrique Rodrigues dos (1993) [Dissertação]Neste trabalho estuda-se a difusão de Au e Hf em a-Ti. O Hf, a princípio, deve ter um comportamento substitucional, enquanto o Au não preenche de forma absoluta as regras semi-empíricas que prevêem dissolução/difusão ... -
Difusão de gases nobres implantados em fotoresistes
Kaschny, Jorge Ricardo de Araujo (1995) [Tese]No presente trabalho foram estudados de uma forma sistemática os diversos parâmetros que podem influenciar o mecanismo de difusão de gases nobres implantados em fotoresistes. Com este propósito foram implantadas amostras ... -
Estudo da difusão de Ag e Al em [alfa]-Ti utilizando as técnicas de espectrometria de retroespalhamento Rutherford e reação nuclear
Araújo, Leandro Langie (2000) [Dissertação]O objetivo da presente dissertação é o estudo da difusão de Ag e Al em uma matriz de α-Ti. Sua motivação principal se origina do fato de haver na literatura resultados contraditórios sobre o comportamento difusional desses ... -
Estudo da difusão de intersticiais em matrizes de α-Ti
Bregolin, Felipe Lipp (2008) [Dissertação]O objetivo desta dissertação consiste no estudo da difusão dos intersticiais, 15N e 18O, em uma matriz de α-Ti. A motivação se origina do fato de haver na literatura resultados contraditórios sobre o comportamento difusivo ... -
Estudo da influência da temperatura de implantação na fotoluminescência de nanocristais de silício
Sias, Uilson Schwantz (2006) [Tese]Neste trabalho estudamos a influência da temperatura de implantação iônica nas propriedades estruturais e de luminescência de nanocristais de Si em matriz de SiO2. Essas nanoestruturas, formadas por meio de implantação de ... -
Estudo da perda de energia de Be, B e O em direções aleatórias e canalizadas de alvos de Si e determinação da respectiva contribuição Barkas
Araújo, Leandro Langie (2004) [Tese]Neste trabalho de tese, foi estudada a perda de energia de íons de Be, B e O incidindo em direção aleatória e ao longo dos canais axiais <100> e <110> do Si. Os intervalos de energia nos quais as medidas experimentais foram ... -
Estudo da perda de energia e da flutuação estatística da perda de energia de íons de lítio em direções aleatórias do silício
Silva, Douglas Langie da (2000) [Dissertação]Usando a técnica de Retroespalhamento Rutherford (RBS). no presente trabalho medimos a perda de energia e a flutuação estatística da perda de energia (straggling) como função da energia para íons de Li em alvos de silicio ... -
Estudo das propriedades luminescentes e estruturais de nanopartículas (Si, Ge, Eu e Tb) produzidas por implantação a quente
Bregolin, Felipe Lipp (2012) [Tese]Neste trabalho, investigamos o comportamento da emissão de fotoluminescência (PL) e a evolução estrutural de diferentes sistemas de nanopartículas em função dos parâmetros utilizados em sua obtenção. O mecanismo básico de ... -
Estudo de difusão de impurezas introduzidas por implantação iônica em polímeros
Soares, Marcio Ronaldo Farias (2003) [Tese]No presente trabalho estudamos de forma sistemática a difusão de impurezas em filmes poliméricos usando as técnicas de implantação iônica e análise por feixe de íons, retroespalhamento Rutherford e de perfil de profundidade ... -
Estudo de difusão de In e Pd em [alfa]-Ti utilizando a técnica de espectrometria de retroespalhamento de Rutherford e canalização
Soares, Marcio Ronaldo Farias (1998) [Dissertação]O objetivo da presente dissertação é o estudo de difusão de In e Pd na matriz de a-Ti. O interesse deste estudo baseia-se na investigação sistemática, realizada pelo grupo de Implantação Iônica, de difusão de impurezas ... -
Estudo do alcance de íons pesados (29 menor ou igual Z1 menor ou igual 83) em alvos de berílio, carbono e dióxido de silício
Grande, Pedro Luis (1989) [Tese]Neste trabalho estudamos experimentalmente, através da técnica de retroespalhamento de Rutherford, a distribuição de vários elementos C295. 2.15 83) implantados em filmes de Be, C e SiOz, na faixa de energia entre 10 e ... -
Estudo do crescimento de filmes de carbono sobre silício devido à irradiação com feixes de H e He
Mörscbächer, Marcio José (2001) [Dissertação]É bem conhecido que técnicas experimentais que fazem uso de feixes iônicos induzem sobre a superfície dos alvos irradiados o depósito de diversos tipos de impurezas. Este depósito é causado pelas interações entre o feixe ... -
Estudo do poder de freamento de He, Li, Eu e Bi canalizados em alvos de Si cristalino
Azevedo, Gustavo de Medeiros (2000) [Tese]Neste trabalho, foi realizado um estudo experimental sistemático da perda de energia de íons canalizados ao longo das direções h100i , h111i e h110i de cristais de Si. Foram abordados dois aspectos distintos, porém correlatos, ... -
Estudo do poder de freamento eletrônico de íons de He e B canalizados em Si
Santos, Jose Henrique Rodrigues dos (1997) [Tese]Neste trabalho, medimos a perda de energia de íons de He e B ao longo da direção < 100 > do Si, com energias que vão desde 200 ke V a 4,5 Me V, no primeiro caso, e de 500 ke V a 9 MeV, no segundo. Usamos a técnica de ... -
Estudos da formação, estabilidade e ordenamento da fase gamma FeSi 2 produzida pela técnica de implantação iônica
Maltez, Rogério Luis (1996) [Tese]No presente trabalho implantamos íons de Fe em amostras de Si que são subseqüentemente recristalizadas pela técnica Cristalização Epitaxial Induzida por Feixe de íons (IBIEC). Quatro técnicas de análise (RBS, Canalização, ... -
Formação e estabilidade térmica de nanocavidades produzidas pela implantação de He em Si
Silva, Douglas Langie da (2004) [Tese]Nesta tese são apresentados os resultados de um estudo sistemático à respeito da formação e evolução térmica de nanocavidades de He em Si cristalino. O efeito da formação de nanocavidades de He no aprisionamento de impurezas ... -
Medidas de alcances e estudos de estabilidade térmica do fotoresiste AZ1350 implantado com íons de antimonio, estanho e prata
Maltez, Rogério Luis (1993) [Dissertação]No presente trabalho implantamos Íons de Sb, Sn e Ag no fotoresiste AZ1350 (polímero novolak) e usamos a técnica de retroespalhamento de Rutherford a fim de estudar os seguintes asp ectos: a) alcances projetados dos Íons ... -
Medidas do poder de freamento de íons de He e Li em filmes de Zn
Duarte, Patricia Fernanda (2003) [Dissertação]Neste trabalho, medimos a perda de energia de íons de He e Li em Zn, com energias que vão de 400 keV a 7 MeV, no primeiro caso, e de 300 keV a 5 MeV, no segundo. Usamos a técnica de retroespalhamento de Rutherford com ...