Browsing Physics by Author "Baumvol, Israel Jacob Rabin"
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Análise de materiais nanoestruturados utilizando feixes de íons
Pezzi, Rafael Peretti (2009) [Thesis]A miniaturização de dispositivos tecnológicos levou à percepção de novas classes de efeitos devidos ao con namento quântico e à mudança na proporção entre número de átomos presentes na superfície e no volume de estruturas ... -
Aplicação da correlação angular perturbada ao estudo de interações quadrupolares em perovskitas
Baumvol, Israel Jacob Rabin (1977) [Thesis]Neste trabalho foram medidas as interações de qua drupolo elétrico nuclear do Hf¹8¹ e Cd¹¹¹ em compostos do tipo perovskita , usando a técnica da correlação angular perturbada diferencial (CAPD). No CaHfO3, que é uma ... -
Avanços na determinação da distribuição em profundidade de elementos leves com resolução subnanométrica utilizando reações nucleares ressonantes
Pezzi, Rafael Peretti (2004) [Dissertation]A utilização de reações nucleares ressonantes estreitas em baixas energias é uma ferramenta importante para a determinação de distribuições de elementos leves em filmes finos com resolução em profundidade subnanométrica. ... -
Composição superficial e propriedades mecânicas e tribológicas de aços carbono implantados com nitrogênio
Santos, Carlos Alberto dos (1984) [Thesis]Investigam-se no presente trabalho as relações entre a composição superficial e as propriedades mecânicas e tribolõgicas de aços carbono implantados com nitrogenio. Os resultados dos testes de propriedades mecanicas e ... -
Estabilização de nanoestruturas dielétricas de alta permissividade por incorporação de nitrogênio
Bastos, Karen Paz (2007) [Thesis]Atualmente os candidatos mais prováveis para aplicação como dielétrico de porta nas próximas gerações de dispositivos MOSFET são os filmes de silicato e aluminato metálicos com nitrogênio em sua composição. Neste trabalho ... -
Estudo da estabilidade termodinâmica de filmes ultrafinos de HfO/sub 2/ sobre Si
Bastos, Karen Paz (2002) [Dissertation]O presente estudo relata a composição, transporte atômico, estabilidade termodinâmica e as reações químicas durante tratamentos térmicos em atmosfera de argônio e oxigênio, de filmes ultrafinos de HfO2 depositados pelo ... -
Estudo do comportamento magnético e magnetoresistivo em multicamadas de filmes finos
Pereira, Luis Gustavo (1994) [Thesis]Este trabalho envolve o estudo de multicamadas de filmes finos magnéticos e está dividido em duas partes: estudo do comportamento magnético e formação de fases em sistemas de multicamadas de Fe/Nd(B) e o estudo da ... -
Estudo experimental de filmes ultrafinos de oxinitretos de silício por substituição isotópica e perfilometria com resolução subnanométrica
Salgado, Tania Denise Miskinis (1999) [Thesis]Traçagem isotópica foi usada para investigar o transporte atômico durante o crescimento térmico de filmes de oxinitreto de silício em lâminas de silício previamente implantadas com íons de nitrogênio a energias muito baixas, ... -
Filmes finos de óxido de estanho: efeitos da implantação iônica e de ambientes oxidantes e redutores
Stedile, Fernanda Chiarello (1990) [Dissertation]Filmes finos de óxido de estanho depositados por "sputtering" reativo foram caracterizados com bases em análises feitas por Espalhamento Nuclear Ressonante, Espectroscopia por Retroespalhamento Rutheford, Espectroscopia ... -
Filmes finos dielétricos para dispositivos microeletrônicos avançados
Krug, Cristiano (2003) [Thesis]Apresentamos mecanismos de formação e de degradação térmica de filmes fi- nos (espessura da ordem de 10 nm) de diferentes dielétricos sobre substrato de silício monocristalino. Tendo em vista a aplicação dessas estruturas ... -
Físico-química do hidrogênio em óxidos e silicatos de háfnio para aplicação como dielétrico de porta
Driemeier, Carlos Eduardo (2008) [Thesis]Após quatro décadas de sucesso do SiO2 (e SiOxNy), as novas gerações de Transistores de Efeito de Campo Metal-Óxido-Semicondutor utilizarão dielétricos de porta de materiais alternativos, dentre os quais se destacam o óxido ... -
Implantação iônica e difusão auxiliada por radiação de estanho em ferro e aços
Dionisio, Paulo Henrique (1986) [Thesis]O objetivo deste trabalho é estudar a composição, a estrutura e a morfologia de superfícies de ferro e aços impurificados com estanho, tanto por implantação iônica direta mo por Jiru ão auxiliada por radiação. Amostras de ... -
Implantação por recuo de antimônio em silício por bombardeamento com íons de argônio e germânio
Erichsen Junior, Rubem (1986) [Dissertation]Estudamos o processo de dopagem de silício com antimônio por recuo promovido por bombardeamento iônico. Em nossas experiências o sistema filme fino de antimônio de 60 nm de espessura depositado sobre silício monocristalino ... -
Interdifusão e reação em bicamadas de filmes finos de Fe-Al submetidas a tratamento em alto vácuo
Teixeira, Sergio Ribeiro (1989) [Thesis]Apresenta-se aqui o estudo de interdifusão e reação no estado sólido em bicamadas de filmes finos de Fe-Al quando submetidas a tratamento térmico em alto vácuo. Três tipos de tratamento forma utilizados, isocrônico, ... -
Mistura atômica na bicamada Fe/Al induzida por feixe de íons
Vasconcellos, Marcos Antonio Zen (1991) [Thesis]Quando dirigimos nossa atenção ao deslocamento e rearranjo dos átomos de um alvo submetido à irradiação com feixe de Íons energéticos, designamos o fenômeno como Mistura Por Feixe De Íons, ou abreviadamente, IM ( do inglês ... -
Transporte atômico e estabilidade em dielétricos alternativos para a tecnologia do Si
Miotti, Leonardo (2007) [Thesis]Esta tese trata do estudo experimental de fenômenos de transporte atômico e reação química em filmes ultra-finos dielétricos sobre Si. Esses dielétricos são materiais alternativos ao óxido de silício utilizado em dispositivos ...