Browsing Academic and Technical Works by Subject "6T SRAM memory cell"
Now showing items 1-1 of 1
-
Estudo sobre os efeitos do Random Telegraph Noise em uma célula de memória SRAM 6T
(2021) [Work completion of graduation]O Random Telegraph Noise (RTN) causa variações no funcionamento de circuitos eletrônicos e tem sido cada vez mais expressivo em novas tecnologias. Assim, circuitos que visam um grande desempenho, uma menor área e um menor ...