Caracterização de um comparador para rádios wake-up com aplicação em IoT
Fecha
2019Autor
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Tipo
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Resumo
Este trabalho descreve o setup, procedimentos, metodologia de medidas e os resultados experimentais de um comparador de tensão formado por 2 estágios amplificadores projetado para rádios wake-up (WuRx) com foco em baixo consumo e Internet of Things. Os resultados de 11 amostras (processo 130 nm CMOS) do mesmo lote mostram que o consumo à alimentação nominal de 1 V e a temperatura ambiente é de 33,99 nW com desvio padrão de 4,43 nW. O consumo experimental inclui o circuito de bias. O ganho médio ...
Este trabalho descreve o setup, procedimentos, metodologia de medidas e os resultados experimentais de um comparador de tensão formado por 2 estágios amplificadores projetado para rádios wake-up (WuRx) com foco em baixo consumo e Internet of Things. Os resultados de 11 amostras (processo 130 nm CMOS) do mesmo lote mostram que o consumo à alimentação nominal de 1 V e a temperatura ambiente é de 33,99 nW com desvio padrão de 4,43 nW. O consumo experimental inclui o circuito de bias. O ganho médio experimental foi de 254 V/V (48,1 dB), enquanto a tensão de offset do nível alto para baixo foi de -11,89 mV e, para a situação inversa, foi de 6,98 mV. O valor de tensão médio para o nível alto é de 991,9 mV e para o nível baixo de 8,05 mV. ...
Abstract
This work describes the setup, procedures, measurements methodology and experimental results of a 2-stage voltage comparator. This is designed for a wake-up radio, focusing on low power and Internet of Things. The results of 11 samples (130 nm CMOS process) from the same batch show that the consumption, with 1 V as voltage supply and ambient temperature, is 33.99 nW with a standard deviation of 4.43 nW. Experimental energy consumption includes the bias circuit. The experimental average gain was ...
This work describes the setup, procedures, measurements methodology and experimental results of a 2-stage voltage comparator. This is designed for a wake-up radio, focusing on low power and Internet of Things. The results of 11 samples (130 nm CMOS process) from the same batch show that the consumption, with 1 V as voltage supply and ambient temperature, is 33.99 nW with a standard deviation of 4.43 nW. Experimental energy consumption includes the bias circuit. The experimental average gain was 254 V/V (48,1 dB), while the high to low level offset voltage was -11.89 mV and for the inverse situation it was 6.98 mV. The average voltage value for the high level is 991.9 mV and for the low level 8.05 mV. ...
Institución
Universidade Federal do Rio Grande do Sul. Escola de Engenharia. Curso de Engenharia Elétrica.
Colecciones
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