Three different techniques to cope with radiation effects and component variability in future technologies
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Data
2007Autor
Orientador
Nível acadêmico
Doutorado
Tipo
Assunto
Resumo
Existe um consenso de que os transistores CMOS irão em breve ultrapassar a barreira nanométrica, permitindo a inclusão de um enorme número desses componentes em uma simples pastilha de silício, mais ainda do que a grande densidade de integração vista atualmente. Entretanto, também tem sido afirmado que este desenvolvimento da tecnologia trará juntamente conseqüências indesejáveis em termos de confiabilidade. Neste trabalho, três aspectos da evolução tecnológica serão enfatizados: redução do tam ...
Existe um consenso de que os transistores CMOS irão em breve ultrapassar a barreira nanométrica, permitindo a inclusão de um enorme número desses componentes em uma simples pastilha de silício, mais ainda do que a grande densidade de integração vista atualmente. Entretanto, também tem sido afirmado que este desenvolvimento da tecnologia trará juntamente conseqüências indesejáveis em termos de confiabilidade. Neste trabalho, três aspectos da evolução tecnológica serão enfatizados: redução do tamanho dos transistores, aumento da freqüência de relógio e variabilidade de componentes analógicos. O primeiro aspecto diz respeito à ocorrência de Single Event Upsets (SEU), uma vez que a carga armazenada nos nós dos circuitos é cada vez menor, tornando o circuito mais suscetível a esses tipos de eventos, principalmente devido à incidência de radiação. O segundo aspecto é também relacionado ao choque de partículas radioativas no circuito. Neste caso, dado que o período de relógio tem se tornado menor, os Single Event Transients (SET) podem ser capturados por um latch, e interpretado como uma inversão de estado em um determinado bit. Finalmente, o terceiro aspecto lida com a variabilidade de componentes analógicos, a qual tende a aumentar a distância entre o projeto e o teste analógico e o digital. Pensando nesses três problemas, foram propostas três diferentes soluções para lidar com eles. Para o problema do SEU, um novo paradigma foi proposto: ao invés do uso de redundância de hardware ou software, um esquema de redundância de sinal foi proposto através de uso de sinais modulados em sigma-delta. No caso do SET, foi proposta uma solução para o esquema de Triple Modular Redundancy (TMR), onde o votador digital é substituído por um analógico, reduzindo assim as chances de ocorrência de SET. Para concluir, para a variabilidade de componentes analógicos, foi proposto um filtro de sinal misto no qual os componentes analógicos críticos são substituídos por partes digitais, permitindo um esquema de teste completamente digital, uma fácil substituição de partes defeituosas e um aumento de produtividade. ...
Abstract
It has been a consensus that CMOS transistor gate length will soon overcome the nanometric barrier, allowing the inclusion of a huge number of these devices on a single die, even more than the enormous integration density shown these days. Nevertheless, it has also been claimed that this technology development will bring undesirable consequences as well, for what regards reliability. In this work, three aspects of technology evolution will be emphasized: transistor size shrinking, clock frequen ...
It has been a consensus that CMOS transistor gate length will soon overcome the nanometric barrier, allowing the inclusion of a huge number of these devices on a single die, even more than the enormous integration density shown these days. Nevertheless, it has also been claimed that this technology development will bring undesirable consequences as well, for what regards reliability. In this work, three aspects of technology evolution will be emphasized: transistor size shrinking, clock frequency increase and analog components variability. The first aspect concerns the occurrence of Single Event Upsets (SEU), since the charge stored in the circuit nodes becomes ever smaller, making the circuit more susceptible to this kind of events, mainly due to radiation incidence. The second aspect is also related to the hit of radiation particles in the circuit. In this case, since clock period becomes smaller, Single Event Transients (SET) may cross the entire circuit and can possibly be latched and interpreted as a state inversion of a certain bit. Finally, the third aspect deals with the analog components variability, which tends to increase the gap between the analog and digital design and test. Thinking about these three problems, we have proposed three different solutions to deal with them. To the SEU problem, a new paradigm has been proposed: instead of hardware or software redundancy, a signal redundancy approach has been proposed through the use of sigma-delta modulated signals. In the SET case, we have proposed a solution for the Triple Modular Redundancy (TMR) approach, where the digital voter is substituted by an analog one, thus reducing the chances of SET occurrence. To conclude, for the analog components variability, we have proposed a mixed-signal filter solution where critical analog components are substituted by digital parts, allowing a complete digital test approach, an easy faulty parts replacement and yield increase. ...
Instituição
Universidade Federal do Rio Grande do Sul. Escola de Engenharia. Programa de Pós-Graduação em Engenharia Elétrica.
Coleções
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