Listar Ingeniería por tema "SRAM"
Mostrando ítems 1-4 de 4
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Aspectos de robustez para memórias SRAM em FDSOI
(2021) [Tesis de maestría]A evolução tecnológica permitiu a redução agressiva do tamanho dos transistores, proporcionando melhorias nos aspectos de desempenho e funcionalidade geral da eletrônica. Hoje, a microeletrônica se tornou parte essencial ... -
Memory circuit hardening to Multiple-Cell Upsets
(2024) [Tesis]A new era of space exploration is coming with an exponential increase in satellites and a drastic cost reduction. Memory circuits are a fundamental part of space applications, and techniques to deal with the radiation ... -
Reliability evaluation of finFET-based SRAMs in the presence of resistive defects
(2021) [Tesis]The development of Fin Field Effect Transistor (FinFET) has made possible the continuous scaling-down of Complementary Metal-Oxide-Semiconductor (CMOS) technology, overcoming issues caused by the Short-Channel Effects. In ... -
Simulação elétrica do efeito de dose total em células de memória estática (SRAM)
(2010) [Tesis de maestría]Nesta dissertação é apresentado o estudo da célula SRAM estática de 6 transistores, com tecnologia CMOS, sendo utilizada em ambiente exposto à radiação. Foi verificado, através de simulação com o Hspice (HSPICE, 2009; KIME, ...