Browsing Engineering by Subject "Transistores"
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Análise de variabilidade e desempenho em transistores ELT para aplicações analógicas
(2022) [Dissertation]Este trabalho estuda os impactos no desempenho elétrico e na variabilidade de transistores MOSFETs projetados utilizando a técnica de geometria fechada (do inglês “Enclosed Layout Transistor” – ELT), uma técnica de proteção ... -
Análise dos efeitos de dose total ionizante em transistores CMOS tecnologia 0,35 μm
(2013) [Dissertation]Este trabalho apresenta um estudo sobre a degradação de parâmetros elétricos de transistores CMOS tecnologia 0,35 μm, fabricados com o processo AMS C35B4, devido aos efeitos de dose total ionizante. Os efeitos de dose total ... -
Análises dos transistores de porta flutuante : modelamento e impacto do efeito de doses total ionizante
(2013) [Dissertation]Nesta dissertação é apresentado o estudo dos transistores de porta flutuante (Floating Gate Transistor - FG Transistor), sua modelagem, e a análise do efeito da dose de ionização total (Total Ionizing Dose- TID) sobre os ... -
Automatic generation and evaluation of transistor networks in different logic styles
(2008) [Thesis]O projeto e o desenvolvimento de circuitos integrados é um dos mais importantes e aquecidos segmentos da indústria eletrônica da atualidade. Neste cenário, ferramentas de automação têm possibilitado aos projetistas manipular ... -
Circuit-level design impact on variability and soft errors robustness
(2020) [Dissertation]Physical limitations were found in MOSFET devices with the advancement in microelectronics. To overcome these limitations, multigate devices, such as the FinFET technology, were introduced, allowing the continuity of the ... -
Desenvolvimento e otimização de tecnologia CMOS com porta de silício policristalino
(2008) [Thesis]Um chip conversor A/D (analógico/digital) foi utilizado para o desenvolvimento da tecnologia CMOS de 5 μm com poço tipo-p e porta de silício policristalino no Laboratório de Microeletrônica (LμE) do Instituto de Física da ... -
Efeito do eletrodo de platina e da passivação com enxofre na formação de filmes dielétricos sobre germânio
(2014) [Dissertation]As estruturas metal-óxido-semicondutor (MOS) são o coração dos transistores de efeito de campo. O estudo e caracterização físico-química desses dispositivos foram a chave para o avanço da tecnologia do Si na indústria ... -
Memory circuit hardening to Multiple-Cell Upsets
(2024) [Thesis]A new era of space exploration is coming with an exponential increase in satellites and a drastic cost reduction. Memory circuits are a fundamental part of space applications, and techniques to deal with the radiation ... -
Quantum-corrected Monte Carlo device simulator for n-type tri-gate transistors
(2023) [Thesis]The dimensions of planar transistors were reduced until detrimental effects caused by the miniaturization of the transistor became significant. To address this issue, the microelectronics industry has changed the structure ... -
Simulação elétrica do efeito de dose total em células de memória estática (SRAM)
(2010) [Dissertation]Nesta dissertação é apresentado o estudo da célula SRAM estática de 6 transistores, com tecnologia CMOS, sendo utilizada em ambiente exposto à radiação. Foi verificado, através de simulação com o Hspice (HSPICE, 2009; KIME, ... -
Three different techniques to cope with radiation effects and component variability in future technologies
(2007) [Thesis]Existe um consenso de que os transistores CMOS irão em breve ultrapassar a barreira nanométrica, permitindo a inclusão de um enorme número desses componentes em uma simples pastilha de silício, mais ainda do que a grande ... -
Utilizando folding no projeto de portas lógicas robustas à variabilidade de processo
(2013) [Dissertation]Este trabalho visa explorar técnicas de projeto de células que possibilitem a minimização dos efeitos da variabilidade de processo sobre o comportamento elétrico dos circuitos integrados. Para este trabalho foram abordados ... -
Variability and voltage scaling aware FinFET design
(2020) [Dissertation]Technology scaling alongside the increasing process variability impact in modern technology nodes are the main reasons to control deviations over metrics in IC nanometer designs. Also, given the increasing set of devices ...