Navegação por Assunto "Implantação de íons"
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Alcances de ions energéticos (10 a 390 keV) implantados em silício amorfo
(1987) [Tese]Neste trabalho apresentamos medidas de perfil de distribuição de ions para uma série de elementos (29‘Zi;:.03) implantados a diversas energias entre 10 a 390 keV em Silicio amorfo. Estas medidas são comparadas com os novos ... -
Amorphization/recrystallization of buried amorphous silicon layer induced by oxygen ion implantation
(2004) [Artigo de periódico]In this paper we discuss the structural modifications observed in a buried amorphous Si (α-Si) layer containing high oxygen concentration level (up to ~ 3 at.%) after being implanted at elevated temperature with 16O+ ions. ... -
Análise e estudo estatístico de deformações causadas por implantação de hélio em silício
(1996) [Resumo publicado em evento] -
Atomic transport across the interfaces during the formation of ultrathin silicon oxide/nitride/oxide films
(1998) [Artigo de periódico]The redistribution of O and N during the final, thermal oxidation in dry O2 step in the formation of ultrathin silicon oxide/nitride/oxide dielectric films ~ONO! was investigated using isotopic tracing and depth profiling ... -
Biennial Report – 2021/22
(2023) [Relatório Técnico e de Pesquisa] -
Caminhantes aleatorios em redes com armadilhas
(1990) [Resumo publicado em evento] -
Co/ag multilayer film : role of annealing on the magnetic properties
(1992) [Artigo de periódico]Co( 15 A)/Ag(60 A) multilayers produced by electron beam deposition on a 50 A chromium buffer layer over a Si( 111) wafer have been studied by magnetoresistance, saturation magnetization, coercivity, and anisotropy. Annealing ... -
Comment on "Ion mixing of metal/Al bilayers near 77K"
(1989) [Artigo de periódico] -
Comparação da sensibilidade na detecção de elementos-traço por fluorescência de raios-x em pastilhas vítreas e prensadas
(2004) [Resumo publicado em evento] -
Comparative study of intermetallic phases formed by direct ion implantation and radiation enhanced diffusion of tin in two kinds of steel
(1985) [Artigo de periódico]The surface layers of high-carbon and stainless steel samples, treated by both direct ion implantation of Sn + ions and radiation enhanced diffusion of tin, are analyzed by means of Rutherford backscattering and 119Sn and ... -
Composição superficial e propriedades mecânicas e tribológicas de aços carbono implantados com nitrogênio
(1984) [Tese]Investigam-se no presente trabalho as relações entre a composição superficial e as propriedades mecânicas e tribolõgicas de aços carbono implantados com nitrogenio. Os resultados dos testes de propriedades mecanicas e ... -
Compositional and magnetic properties of iron nitride thin films
(1990) [Artigo de periódico]The compositional and magnetic properties of iron-nitride thin films deposited by de reactive magnetron sputtering under various nitrogen partial pressure conditions have been investigated by x-ray diffraction, Mossbauer ... -
Copper gettering at half the projected ion range induced by low-energy channeling He implantation into silicon
(2000) [Artigo de periódico]He1 ions were implanted at 40 keV into Si <100> channel direction at room temperature (RT) and at 350 °C. The Si samples were subsequently doped with Cu in order to study the gettering of Cu atoms at the defective layer. ... -
Damage accumulation in Si crystal during ion implantation at elevated temperatures : evidence of chemical effects
(2000) [Artigo de periódico]Damage in Si induced by irradiation with various light/medium mass ions at elevated temperatures and high doses (>=3x1016 cm-²) was studied using Rutherford backscattering spectroscopy, cross-section transmission electron ... -
Defect engineering in H and He implanted Si
(2008) [Tese]The present work relates an investigation of H2 + and He+ coimplanted (001)-Si substrates. The phenomena of blistering and exfoliation were studied by SEM as a function of the implantation parameters (energy, fluence, ... -
Defeitos responsáveis pela isolação de GaAs irradiado com prótons
(2003) [Dissertação]A Espectroscopia de Transientes de Níveis Profundos (DLTS – Deep Level Transient Spectroscopy) foi, detalhadamente, descrita e analisada. O processo de isolação por implantação em GaAs foi estudado. Sua dependência com a ... -
Determinação da posição reticular de F em Si
(2006) [Dissertação]Neste trabalho, estudamos a posição de átomos de F na estrutura cristalina do Si. As amostras foram pré-amorfizadas utilizando um feixe de Si de 200 keV e, após, implantadas com F. Então recristalizamos a camada amorfa ... -
Determinação de perfil de oxigênio através do uso da reação ressonante /sup 16/O(α,α)/sup 16/O a 3,035MeV
(1997) [Resumo publicado em evento] -
Difusão de Au e Hf em (alfa)-Ti
(1993) [Dissertação]Neste trabalho estuda-se a difusão de Au e Hf em a-Ti. O Hf, a princípio, deve ter um comportamento substitucional, enquanto o Au não preenche de forma absoluta as regras semi-empíricas que prevêem dissolução/difusão ... -
Os efeitos de fluxos de prótons sobre dispositivos MOS no espaço
(2003) [Dissertação]Dispositivos microeletrônicos como células solares e circuitos integrados MOS em satélites, estão sujeitos ao bombardeamento de partículas de alta energia, especialmente os uxos de prótons. Os danos causados pela irradiação ...