Navegação por Assunto "Implantacao ionica"
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Amorphization/recrystallization of buried amorphous silicon layer induced by oxygen ion implantation
(2004) [Artigo de periódico]In this paper we discuss the structural modifications observed in a buried amorphous Si (α-Si) layer containing high oxygen concentration level (up to ~ 3 at.%) after being implanted at elevated temperature with 16O+ ions. ... -
Caracterização da implantação de Ne em Si (100)
(2007) [Tese]Esta tese apresenta um estudo sistemático sobre a formação e evolução do sistema de bolhas, cavidades e defeitos gerados pela implantação de Ne em Si monocristalino. A implantação de gases inertes em Si tem sido explorada ... -
Caracterização de níveis de defeitos próximos à banda de valência em GaAs implantado com prótons
(2010) [Trabalho de conclusão de graduação]No presente trabalho, foi utilizada a técnica de Espectroscopia de Transientes de Níveis Profundos (DLTS - Deep Level Transient Spectroscopy) para identificar e caracterizar níveis profundos com energias mais próximas à ... -
Carbon deposition in Si as a consequence of H and He irradiations : a systematic study
(2002) [Artigo de periódico]In the present work we have investigated the influence of different parameters that determine the C deposition on a Si target. Among them we have studied the pressure of the irradiation chamber, the implantation fluence, ... -
Characterization of deep level traps responsible for isolation of proton implanted GaAs
(2003) [Artigo de periódico]Deep level transient spectroscopy was employed to determine the electrical properties of defects induced in metalorganic chemical-vapor deposition grown n-type and p-type GaAs during proton bombardment. Thermal stability ... -
Competing influence of damage buildup and lattice vibrations on ion range profiles in Si
(2003) [Artigo de periódico]Phosphorus depth profiles in Si obtained by 140 keV implantation in the [001] axial channel direction and in a direction 7° off axis are investigated at two different doses (531013 and 5 31015 cm22) for implantation ... -
Comportamento térmico de bolhas híbridas de Ne-He produzidas por implantação iônica em Si
(2012) [Dissertação]Em um trabalho anterior verificou-se que a formação de bolhas de He pressurizadas em um substrato Si é capaz de melhorar a qualidade cristalina de uma estrutura GaN/AlN crescida heteroepitaxialmente sobre Si. As bolhas ... -
Controle das propriedades ópticas e elétricas do ITO por bombardeamento com íons
(2015) [Dissertação]Este trabalho apresenta as variações das propriedades ópticas e elétricas do ITO (Oxido de índio dopado com Estanho) por bombardeamento iônico. Os bombardeamentos foram realizados com íons Ar+ com perfil único e com perfil ... -
Cu gettering in ion implanted and annealed silicon in regions before and beyond the mean projected ion range
(2003) [Artigo de periódico]The strong gettering of Cu atoms in single-crystal Si implanted with 3.5 MeV P+ ions is studied after thermal treatment and Cu contamination. Cu decorates the remaining implantation damage. Three separate Cu gettering ... -
Dopagem tipo-n em estruturas SIMOX
(2007) [Dissertação]Foram estudadas a ativação elétrica e a redistribuição de As (dopante tipo n) implantado em SIMOX (Separation by IMplanted OXygen). Estruturas SIMOX com diferentes espessuras da camada superficial de Si e do óxido enterrado ... -
Efeitos da implantação de ar e da irradiação com íons de Au+ sobre a formação de precipitados em aço AISI 316L utilizado como revestimento de combustível nuclear
(2017) [Dissertação]Materiais expostos à irradiação de nêutrons geralmente apresentam degradação em suas propriedades físicas. Este é um problema importante para a tecnologia de reatores nucleares, pois influencia na segurança operacional e ... -
Efeitos da implantação de Ar e da irradiação de íons de Au e Xe sobre a microestrutura do aço AISI 316L para aplicações nucleares
(2021) [Tese]Materiais expostos à irradiação de nêutrons geralmente apresentam degradação em suas propriedades físicas. Este é um problema importante para a tecnologia de reatores nucleares, pois influencia na segurança operacional e ... -
Efeitos da irradiação de elétrons em filmes finos de ouro
(2022) [Dissertação]O estudo de materiais nanoscópicos tem se tornado crucial para o entendimento de suas propriedades físicas, que podem se mostrar escalonáveis com o tamanho e serem interessantes para novas aplicações. A irradiação com ... -
Efeitos da irradiação de elétrons sobre a formação e estabilidade de nanopartículas de Au em filmes de Si3N4
(2015) [Dissertação]A formação e modificação de nanoestruturas têm atraído um grande interesse acadêmico e tecnológico, principalmente devido às diversas possibilidades de aplicação dessas estruturas no aperfeiçoamento de dispositivos de ... -
Efeitos de irradiação e tratamentos térmicos em sistemas de nanopartículas embebidas em substratos dielétricos
(2013) [Trabalho de conclusão de graduação]A técnica de síntese por feixe de íons vem sendo amplamente estudada e aplicada na formação de nanoestruturas. Esta técnica apresenta muitas vantagens, como a possibilidade de inserção de praticamente qualquer elemento da ... -
Electrical activation of carbon in GaAs : implantation temperature effects
(2001) [Artigo de periódico]Carbon was implanted into GaAs at the energy of 1 MeV with doses between 131013 and 2 31015 cm22 at temperatures of 80 K, nominal room temperature (RT), and 300 °C. A markedly higher electrical activation was obtained in ... -
Electrical resistivity of acceptor carbon in GaAs
(2004) [Artigo de periódico]The electrical resistivity was investigated from room temperature down to 1.7 K for the shallow acceptor carbon in GaAs prepared by ion implantation with impurity concentrations between 1017 and 1019 cm-³. Good agreement ... -
Electroluminescence induced by Ge nanocrystals obtained by hot ion implantation into SiO2
(2009) [Artigo de periódico]Commonly, electroluminescence (EL) from Ge nanocrystals (Ge NCs) has been obtained by room temperature (RT) Ge implantation into a SiO2 matrix followed by a high temperature anneal. In the present work, we have used a novel ... -
Electron irradiation effects on the nucleation and growth of Au nanoparticles in silicon nitride membranes
(2017) [Artigo de periódico]The formation of Au nanoparticles (NPs) in Auþ ion-implanted silicon nitride thin films and membranes was investigated as a function of post-implantation thermal treatments or room temperature electron irradiation at ... -
Estabilidade térmica de nanoaglomerados metálicos em dielétricos
(2017) [Tese]Nanoaglomerados (NCs) metálicos ou semicondutores podem ser caracterizados como aglomerados atômicos com um pequeno número n de átomos constituintes (tipicamente n<100). De forma distinta aos grandes aglomerados atômicos ...