Navegação por Assunto "Expansão térmica"
Resultados 1-9 de 9
-
Uma análise da dinâmica vibracional de cristais por EXAFS
(2015) [Dissertação]O objetivo deste trabalho é estudar a dinâmica vibracional de dois materiais cristalinos: o germânio (Ge) e o arseneto de gálio (GaAs) por intermédio da técnica de XAFS. Inicialmente, uma breve revisão baseada nas teorias ... -
Comparação da dependência com a temperatura dos espectros de absorção de raios-X do Ge e do GaAs cristalinos
(2013) [Trabalho de conclusão de graduação]Neste estudo foi abordada a dependência do comprimento das ligações inter-atômicas com a temperatura para dois materiais com mesma estrutura cristalina (Germânio e Arseneto de Gálio), porém com diferenças de ionicidade de ... -
Comportamento estrutural sob altas pressões de materiais com expansão térmica anômala
(2011) [Tese]Nesta tese foi investigado o comportamento sob altas pressões de compostos com estrutura poliedral aberta que apresentam expansão térmica anômala. A presença de vazios e a alta flexibilidade deste tipo de estrutura, quando ... -
Dynamics of thermal growth of silicon oxide films on Si
(2000) [Artigo de periódico]Thermal growth of silicon oxide films on Si in dry O₂ is modeled as a dynamical system, assuming that it is basically a reaction-diffusion phenomenon. Relevant findings of the last decade are incorporated, as structure and ... -
Interaction of SiC thermal oxidation by-products with SiO2
(2008) [Artigo de periódico]We investigated oxygen incorporation and exchange during thermal growth of silicon oxide films on silicon carbide. This investigation was carried out in parallel with the thermal growth of silicon oxide films on silicon ... -
Isotopic substitution of si during thermal growth of ultrathin silicon-oxide films on si(111) in o/sub 2/
(1999) [Artigo de periódico]The transport of Si atoms during thermal growth of silicon-oxide films on silicon in dry O2 was investigated by isotopic substitution of Si. The experiment consisted of depositing a 7.6-nm-thick epitaxial layer of 29Si on ... -
Limiting step involved in the thermal growth of silicon oxide films on silicon carbide
(2002) [Artigo de periódico]Thermal growth of silicon oxide films on silicon carbide in O2 was investigated using oxygen isotopic substitution and narrow resonance nuclear reaction profiling. This investigation was carried out in parallel with the ... -
Multiple liquid-liquid critical points and density anomaly in core-softened potentials
(2013) [Artigo de periódico]The relation between liquid-liquid phase transitions andwaterlike density anomalies in core-softened potentials of fluids was investigated in an exactly solvable one-dimensional lattice model and in a three-dimensional ... -
Previsões de dinâmica molecular para o sistema Si1-XGeX
(2017) [Trabalho de conclusão de graduação]As ligas de Si1-xGex têm sido investigadas acerca de suas propriedades térmicas para serem aplicadas em transistores e geradores termoelétricos. Os efeitos que a concentração do germânio e o tamanho de grão exercem sobre ...
