Browsing by Subject "Transistores"
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Análise de variabilidade e desempenho em transistores ELT para aplicações analógicas
(2022) [Dissertation]Este trabalho estuda os impactos no desempenho elétrico e na variabilidade de transistores MOSFETs projetados utilizando a técnica de geometria fechada (do inglês “Enclosed Layout Transistor” – ELT), uma técnica de proteção ... -
Análise dos efeitos de dose total ionizante em transistores CMOS tecnologia 0,35 μm
(2013) [Dissertation]Este trabalho apresenta um estudo sobre a degradação de parâmetros elétricos de transistores CMOS tecnologia 0,35 μm, fabricados com o processo AMS C35B4, devido aos efeitos de dose total ionizante. Os efeitos de dose total ... -
Análises dos transistores de porta flutuante : modelamento e impacto do efeito de doses total ionizante
(2013) [Dissertation]Nesta dissertação é apresentado o estudo dos transistores de porta flutuante (Floating Gate Transistor - FG Transistor), sua modelagem, e a análise do efeito da dose de ionização total (Total Ionizing Dose- TID) sobre os ... -
Automatic generation and evaluation of transistor networks in different logic styles
(2008) [Thesis]O projeto e o desenvolvimento de circuitos integrados é um dos mais importantes e aquecidos segmentos da indústria eletrônica da atualidade. Neste cenário, ferramentas de automação têm possibilitado aos projetistas manipular ... -
Automatização do processo de produção de dissulfeto de molibdênio
(2021) [Work completion of graduation]Por meio da tecnologia, o mundo está cada vez mais conectado, possibilitando a transmissão de informações e comunicação em uma velocidade jamais vista. Com isso, a demanda por dispositivos eletrônicos, como smartphones, ... -
Circuit-level design impact on variability and soft errors robustness
(2020) [Dissertation]Physical limitations were found in MOSFET devices with the advancement in microelectronics. To overcome these limitations, multigate devices, such as the FinFET technology, were introduced, allowing the continuity of the ... -
Desenvolvimento e otimização de tecnologia CMOS com porta de silício policristalino
(2008) [Thesis]Um chip conversor A/D (analógico/digital) foi utilizado para o desenvolvimento da tecnologia CMOS de 5 μm com poço tipo-p e porta de silício policristalino no Laboratório de Microeletrônica (LμE) do Instituto de Física da ... -
A design methodology using the inversion coefficient for low-voltage low-power CMOS voltage references
(2011) [Journal article] -
Efeito do eletrodo de platina e da passivação com enxofre na formação de filmes dielétricos sobre germânio
(2014) [Dissertation]As estruturas metal-óxido-semicondutor (MOS) são o coração dos transistores de efeito de campo. O estudo e caracterização físico-química desses dispositivos foram a chave para o avanço da tecnologia do Si na indústria ... -
Low-power design using networks of transistors
(2014) [Dissertation]In complex integrated circuits, power and performance have moved in opposite directions making the design of low-power devices a highly costly task. Traditionally, integrated circuit design companies adopt many techniques ... -
Memory circuit hardening to Multiple-Cell Upsets
(2024) [Thesis]A new era of space exploration is coming with an exponential increase in satellites and a drastic cost reduction. Memory circuits are a fundamental part of space applications, and techniques to deal with the radiation ... -
Minimizing transistor count in transistor networks
(2020) [Thesis]The evolution of the Integrated Circuits Technology demands optimization of IC design. Nowadays, many circuits use much more transistors than necessary as a broad set of ASICs use a library of pre-designed cells. The small ... -
Modelo do descasamento (mismatch) entre transistores MOS
(2008) [Thesis]Diversos modelos teóricos para o descasamento entre dispositivos na tecnologia MOS foram propostos desde a década de ’80, sendo que geralmente estes pecam ou pela simplicidade, sendo válidos apenas sob condições de operação ... -
Quantum-corrected Monte Carlo device simulator for n-type tri-gate transistors
(2023) [Thesis]The dimensions of planar transistors were reduced until detrimental effects caused by the miniaturization of the transistor became significant. To address this issue, the microelectronics industry has changed the structure ... -
Simulação elétrica comparativa de portas lógicas com MOSFETs de distintas gerações tecnológicas
(2017) [Work completion of graduation]Neste projeto foram realizadas medidas sobre transistores experimentais 5μm fabricados no Laboratório de Microeletrônica do Instituto de Física da Universidade Federal do Rio Grande do Sul. Estas medidas foram utilizadas ... -
Simulação elétrica do efeito de dose total em células de memória estática (SRAM)
(2010) [Dissertation]Nesta dissertação é apresentado o estudo da célula SRAM estática de 6 transistores, com tecnologia CMOS, sendo utilizada em ambiente exposto à radiação. Foi verificado, através de simulação com o Hspice (HSPICE, 2009; KIME, ... -
Three different techniques to cope with radiation effects and component variability in future technologies
(2007) [Thesis]Existe um consenso de que os transistores CMOS irão em breve ultrapassar a barreira nanométrica, permitindo a inclusão de um enorme número desses componentes em uma simples pastilha de silício, mais ainda do que a grande ... -
Utilizando folding no projeto de portas lógicas robustas à variabilidade de processo
(2013) [Dissertation]Este trabalho visa explorar técnicas de projeto de células que possibilitem a minimização dos efeitos da variabilidade de processo sobre o comportamento elétrico dos circuitos integrados. Para este trabalho foram abordados ... -
Variability and voltage scaling aware FinFET design
(2020) [Dissertation]Technology scaling alongside the increasing process variability impact in modern technology nodes are the main reasons to control deviations over metrics in IC nanometer designs. Also, given the increasing set of devices ...